Vishay » SiHH068N60E
Устройство с суперпереходом снижает потери проводимости и переключения, повышая КПД телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений
Vishay Intertechnology представила новейшее устройство в своем семействе 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии E. Обеспечивая высокий КПД источников питания телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений, n-канальный прибор SiHH068N60E, выпущенный подразделением Vishay Siliconix, по сравнению с 600-вольтовыми MOSFET серии E предыдущего поколения имеет сниженное на 27% сопротивление открытого канала и на 60% меньший заряд затвора. Это дает самое низкое в отрасли произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала среди приборов аналогичного класса, что является главным показателем качества для 600-вольтовых MOSFET, используемых в приложениях преобразования энергии.
Vishay предлагает широкую линейку технологий MOSFET, которые поддерживают все этапы процесса преобразования энергии – от высоковольтных входов до низковольтных выходов, – необходимых современным электронным системам. Выпуская транзистор SiHH068N60E и готовя к производству новые 600-вольтовые устройства четвертого поколения семейства E, компания решает проблему повышения КПД и плотности мощности в первых каскадах архитектуры системы питания – корректорах коэффициента мощности и DC/DC преобразователях с жестким переключением.
Транзистор SiHH068N60E созданный на основе новейшей энергоэффективной технологии суперперехода компании Vishay, имеет типовое сопротивление открытого канала 0.059 Ом при напряжении затвор-исток 10 В и сверхнизкий заряд затвора до 53 нКл. Показатель качества устройства, равный 3.1 Ом•нКл, на 12% ниже, чем у ближайшего конкурирующего MOSFET аналогичного класса. Улучшенные характеристики переключения SiHH068N60E обеспечиваются низкими эффективными выходными емкостями Co (er) и Co (tr), равными 94 пФ и 591 пФ, соответственно. Эти значения позволяют экономить энергию за счет снижения потерь проводимости и переключения.
Устройства выпускаются в корпусах PowerPAK размером 8 мм × 8 мм, отвечают требованиям директивы RoHS и не содержат галогенов. Конструкция приборов обеспечивает устойчивость к выбросам напряжения в лавинном режиме с фиксированными уровнями отсечки, гарантированными стопроцентной проверкой на соответствие нормам стандарта UIS.
В настоящее время доступны единичные образцы и промышленные партии SiHH068N60E. Крупные заказы на поставку приборов выполняются в течение десяти недель.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: Latest Vishay Intertechnology Fourth-Generation 600 V E Series MOSFET Provides Industry-Low RDS (ON)*Qg FOM of 3.1 Ω*nC
