NVE представляет первый в мире интеллектуальный TMR датчик углового положения

NVE » ASR002-10E Компания NVE анонсировала новый интеллектуальный датчик углового положения ASR002-10E. В новом датчике уникальный чувствительный элемент, основанный на эффекте туннельного магнитосопротивления (TMR), сочетается с элегантной цифровой обработкой сигнала.

Подробнее

Микрон выпустил микроконтроллер защиты данных для интернета вещей

Микрон сообщает о запуске в производство российского микроконтроллера для защиты передаваемых данных для устройств Интернета вещей с поддержкой отечественных стандартов шифрования ГОСТ. Микроконтроллер работает со всеми стандартами связи и предназначен …

Подробнее

Завод Ангстрем-Т освоил технологию производства Trench MOSFET

АО «Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа. Силовые Trench MOSFET-транзисторы массово

Подробнее

Maxim представляет первый в отрасли интегрированный модуль биосенсора для измерения ФПГ и ЭКГ

Maxim » MAX86150 MAX86150 обеспечивает точный одновременный контроль ФПГ и ЭКГ Теперь у разработчиков появился более простой способ измерения фотоплетизмограммы (ФПГ) и электрокардиограммы (ЭКГ) для мониторинга состояния здоровья с помощью …

Подробнее

«Микрон» продаст микросхемы для автопрома Китая на миллионы долларов

Денис Воейков Зеленоградский «Микрон» нацелился на экспортный рынок чипов для автомобильной электроники. Целевыми рынками определены Китай и Индия. Первые поставки уже начались. «Микрон» идет в азиатскую автоэлектронику Отечественный

Подробнее

Toshiba анонсирует новейшую микросхему моста Ethernet для автомобильных и промышленных приложений

Toshiba » TC9562 Новая микросхема поддерживает протоколы сетей, чувствительные ко времени, и Ethernet-мосты со скоростью передачи до 1 Гбит/с Toshiba Electronics Europe анонсировала новейшую микросхему в линейке выпускаемых компанией автомобильных …

Подробнее

Ученые ТюмГУ исследуют электрофизические свойства нового компонента электроники

В ТюмГУ началась работу по проекту «Электрофизические свойства комбинированного мемристорно-диодного кроссбара – нового компонента наноэлектроники, предназначенного для изготовления запоминающей и логической матриц нейропроцессора». Исследование

Подробнее

FDK начала поставки сверхминиатюрных твердотельных батарей с самой высокой в мире плотностью мощности

FDK Выпущены высоковольтные (3.0 В) батареи на оксидной основе в корпусах для поверхностного монтажа с высокой плотностью мощности Корпорация FDK начала поставки опытных образцов полностью твердотельных батарей на оксидной основе, …

Подробнее

Солнце и наножидкости: в НИЯУ МИФИ запускают уникальную энергоустановку

Специалисты Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» вместе с коллегами из Бергенского университета (Норвегия) начали активную фазу по подготовке к запуску в НИЯУ МИФИ не имеющей аналогов в мире солнечной установки, …

Подробнее

Diodes анонсировала понижающие DC/DC преобразователи с лучшим в своем классе подавлением излучаемых помех

Diodes » AP63200, AP63201, AP63203, AP63205 Компания Diodes анонсировала синхронные понижающие DC/DC преобразователи AP63200/ AP63201/ AP63203/ AP63205 с самыми низкими в своем классе уровнями электромагнитных помех, излучаемых во всех диапазонах …

Подробнее